ESD Stress Effect on Failure Mechanisms in GaN-on-Si Power Device
ESD Stress Effect on Failure Mechanisms in GaN-on-Si Power Device
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ESD 应力对 GaN-on-Si 功率器件失效机制的影响
DOI：
10.1109/tdmr.2021.3108761
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发表时间：
2021
影响因子：
2
通讯作者：
Yuan, Jiann-Shiun
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yang, Wen;Stoll, Nicholas;Yuan, Jiann-Shiun
