Structural irradiation damage and recovery in nanometric silicon carbide
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DOI：
10.1016/j.pnucene.2011.12.013
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发表时间：
2012-05
影响因子：
2.7
通讯作者：
D. Gosset;A. Audren;Y. Leconte;L. Thomé;I. Monnet;N. Herlin‐Boime
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Gosset;A. Audren;Y. Leconte;L. Thomé;I. Monnet;N. Herlin‐Boime
