Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application
Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application
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通过 Cat-CVD 形成用于 ULSI 应用的低电阻率多晶硅和 SiNx 薄膜
DOI：
10.1016/s0040-6090(03)00129-9
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
H. Matsumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rui Morimoto;Chisato Yokomori;A. Kikkawa;A. Izumi;H. Matsumura
