津田 穣、笈川 節子: "aーSi:H成長表面の反応素過程II.水素転移機構" 第51回応用物理学会学術講演会講演予稿集1. 1. 33-33 (1990)
津田 穣、笈川 節子: "aーSi:H成長表面の反応素過程II.水素転移機構" 第51回応用物理学会学術講演会講演予稿集1. 1. 33-33 (1990)
复制标题
Jo Tsuda、Setsuko Okawa:“a-Si:H生长表面的基本反应过程II.氢转移机制”日本应用物理学会第51届年会记录1.1.33-33(1990)
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: