GaN layer growth in relation to buffer deposition temperature
GaN layer growth in relation to buffer deposition temperature
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GaN 层生长与缓冲沉积温度的关系
DOI：
10.1016/s0921-5107(96)01876-4
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O. Briot
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Demangeot;M. Renucci;J. Frandon;O. Briot
