A High-Voltage (over 600 V) N-Island LDMOS With Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology
A High-Voltage (over 600 V) N-Island LDMOS With Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology
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部分 SOI 技术中具有阶梯掺杂漂移区的高压（超过 600 V）N 岛 LDMOS
DOI：
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发表时间：
2016
影响因子：
3.1
通讯作者：
Jin He
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yue Hu;Hao Wang;Caixia Du;Miaomiao Ma;Mansun Chan;Jin He
