Plasma sputtering device using convergent magnetic field for GaN film production
Plasma sputtering device using convergent magnetic field for GaN film production
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利用会聚磁场制备GaN薄膜的等离子体溅射装置
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Motomura and T. Tabaru
中科院分区：
文献类型：
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作者：
西田智就;木下郁雄;石井純太郎;Ikuo Kinoshita;Ikuo Kinoshita;T. Motomura and T. Tabaru;T. Motomura and T. Tabaru;T. Motomura and T. Tabaru
