High performance resonant tunneling diode oscillators as terahertz sources
High performance resonant tunneling diode oscillators as terahertz sources
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作为太赫兹源的高性能谐振隧道二极管振荡器
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Figueiredo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jue Wang;A. Al;K. Alharbi;A. Ofiare;Haiping Zhou;E. Wasige;J. Figueiredo
本文介绍了一系列单片微波集成电路（MMIC）谐振隧道二极管（RTD）振荡器。振荡器电路拓扑采用两个InGaAs/AlAs rtd并联，每个器件单独偏置。振荡器工作频率为125/156/206/308 GHz，输出功率为−1.7/−3.3/−14.6/−4.8 dBm。随着外延层结构和振荡器设计的改进，预计输出功率将达到几毫瓦。这项工作显示了RTD振荡器作为太赫兹（THz）源在高速无线通信等方面的巨大潜力。
This paper presents a series of monolithic microwave integrated circuit (MMIC) resonant tunneling diode (RTD) oscillators. The oscillator circuit topology employs two InGaAs/AlAs RTDs in parallel and each device is biased individually. The oscillators operate at 125/156/206/308 GHz with −1.7/−3.3/−14.6/−4.8 dBm output power. With improved epitaxial layer structures and oscillator designs, it is expected that the output power will reach several milliwatts. This work shows the promising potential of RTD oscillators as terahertz (THz) sources for high speed wireless communications, etc.
宽带领结缝隙天线，具有用于谐振隧道二极管振荡器的调谐短截线，具有用于抑制基板效应的新颖配置
DOI：
10.1109/eumc.2016.7824369
发表时间：
2016
期刊：
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影响因子：
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作者：
Alharbi K
通讯作者：
Alharbi K
具有毫瓦输出功率的 W 波段 InP 谐振隧道二极管振荡器
DOI：
10.1109/iciprm.2014.6880531
发表时间：
2014
期刊：
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影响因子：
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作者：
Jue Wang
通讯作者：
Jue Wang
影响因子：
4
作者：
Feiginov, Michael;Sydlo, Cezary;Meissner, Peter
通讯作者：
Meissner, Peter