Improved Current Gain in 4H-SiC BJTs Passivated with Deposited Oxides Followed by Nitridation
Improved Current Gain in 4H-SiC BJTs Passivated with Deposited Oxides Followed by Nitridation
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沉积氧化物钝化后氮化的 4H-SiC BJT 提高了电流增益
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda
DOI：
10.1143/jjap.44.1213
发表时间：
2005-03-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Kimoto, T;Kanzaki, Y;Matsunami, H
通讯作者：
Matsunami, H
具有含氮绝缘体的 4H-SiC MISFET
DOI：
10.1002/pssa.200925247
发表时间：
2009
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
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作者：
M. Noborio;J. Suda;S. Beljakowa;M. Krieger;T. Kimoto
通讯作者：
T. Kimoto