Growth temperature dependence of structural properties for single crystalline GaN films on MgA12O4 substrates by pulsed laser deposition

Growth temperature dependence of structural properties for single crystalline GaN films on MgA12O4 substrates by pulsed laser deposition
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通过脉冲激光沉积在 MgAl2O4 基底上生长单晶 GaN 薄膜的结构特性的温度依赖性

DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
Semicond. Sci. Technol. 21
影响因子:
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通讯作者:
G.Li
G.Li
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Matsuura A;Kakigi T;Sato Y;Fujii K;Mitani N;Li JY;Oshima A;Washio M;G.Li;G.Li;G.Li

文献摘要

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