Low Density InAs Quantum Dots Grown on InP(001) by Solid-Source Molecular Beam Epitaxy Applying Post Growth Annealing Process
Low Density InAs Quantum Dots Grown on InP(001) by Solid-Source Molecular Beam Epitaxy Applying Post Growth Annealing Process
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采用生长后退火工艺在 InP(001) 上采用固源分子束外延生长低密度 InAs 量子点
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Gendry
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Kubota;T.Saiki;P.Regreny;A.Benamrouche;M.Gendry
