200 GHz Low Noise Amplifiers in 250 nm InP HBT Technology
200 GHz Low Noise Amplifiers in 250 nm InP HBT Technology
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采用 250 nm InP HBT 技术的 200 GHz 低噪声放大器
DOI：
10.23919/eumic50153.2022.9784010
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Rodwell
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Utku Soylu;Ahmed S. H. Ahmed;M. Seo;A. Farid;M. Rodwell
我们报告200 GHz的InP DHBT低噪声放大器的共基极（CB）和共发射极（CE）的拓扑结构，以及基于最小噪声测量的设计过程。CB设计在196-216 GHz范围内的噪声系数为7.4±0.7 dB，200 GHz时增益为14.5 dB，Pin 1dB为-21.1 dBm，功耗为9.2 mW; CE设计在196-216 GHz范围内的噪声系数为7.2±0.4 dB，200 GHz时增益为13 dB，Pin 1dB为-18.2 dBm，功耗为19.22 mW。据作者所知，这些结果表明，双极晶体管放大器在200 GHz附近工作的噪声系数创纪录。
We report 200 GHz InP DHBT low noise amplifiers in common base (CB) and common emitter (CE) topologies, together with a design procedure based on minimum noise measure. The CB design shows 7.4±0.7 dB noise figure over 196-216 GHz, 14.5 dB gain and -21.1 dBm Pin1dB at 200 GHz, and dissipates 9.2 mW, while the CE design shows 7.2±0.4 dB noise figure over 196-216 GHz, 13 dB gain and -18.2 dBm Pin1dB at 200 GHz, and dissipates 19.22 mW. To the authors’ knowledge, these results demonstrate record noise figure for bipolar transistor amplifiers operating near 200 GHz.