Evaluation of lattice displacement in Mg- Implanted GaN by Rutherford backscattering spectroscopy
Evaluation of lattice displacement in Mg- Implanted GaN by Rutherford backscattering spectroscopy
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通过卢瑟福背散射光谱评估镁注入 GaN 中的晶格位移
DOI：
10.1016/j.nimb.2017.03.125
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Nakamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Nishikata;K. Kushida;T. Nishimura;T. Mishima;K. Kuriyama;T. Nakamura
