740 nm InP/GaInP quantum-dot laser with 190 A cm/sup -2/ room temperature threshold current density
740 nm InP/GaInP quantum-dot laser with 190 A cm/sup -2/ room temperature threshold current density
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740 nm InP/GaInP 量子点激光器，具有 190 A cm/sup -2/ 室温阈值电流密度
DOI：
10.1049/el:20057201
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发表时间：
2005
影响因子：
1.1
通讯作者：
L. Lester
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Lutti;P. Smowton;G. Lewis;A. Krysa;J. Roberts;P. Houston;Y. Xin;Y. Li;L. Lester
据报道，在 GaAs 衬底上生长的 InP 量子点激光器在 730-740 nm 波段发射，阈值电流密度低至 190 A cm/sup -2/，用于具有未涂层面的 2000 /spl mu/m 长器件。
InP quantum-dot lasers grown on GaAs substrates and emitting in the 730-740 nm band with threshold current density as low as 190 A cm/sup -2/ for a 2000 /spl mu/m-long device with uncoated facets are reported.