Luminescence at 1. 5μm from Si/ GeSn nanodot/ Si structures2
Luminescence at 1. 5μm from Si/ GeSn nanodot/ Si structures2
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Si/GeSn 纳米点/Si 结构在 1.5μm 处发光2
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Fujinoki and M. Ichikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Nakamura;N. Fujinoki and M. Ichikawa
