Toshiro Hiramoto: "Evidence for Creation of Gallium Antisite Defect in Surface Region of Heat-Treated GaAs" Japanese JOurnal of Applied PHysics. 25. L830-L832 (1986)
Toshiro Hiramoto: "Evidence for Creation of Gallium Antisite Defect in Surface Region of Heat-Treated GaAs" Japanese JOurnal of Applied PHysics. 25. L830-L832 (1986)
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Toshiro Hiramoto：“热处理 GaAs 表面区域产生镓反位缺陷的证据”日本应用物理学杂志。
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