Optimization of the design of a crucible for a SiC sublimation growth system using a global model
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2007.11.016
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发表时间：
2008-04
影响因子：
1.8
通讯作者：
X. Chen;Lijun Liu;H. Tezuka;Y. Usuki;K. Kakimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X. Chen;Lijun Liu;H. Tezuka;Y. Usuki;K. Kakimoto
