High-pressure Raman study of the Ba-doped silicon clathrate Ba24Si100 up to 27 GPa
High-pressure Raman study of the Ba-doped silicon clathrate Ba24Si100 up to 27 GPa
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Ba 掺杂硅包合物 Ba24Si100 高达 27 GPa 的高压拉曼研究
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Shimizu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Sato;Y. Genda;H. Kubotera;T. Mon;T. Hsrada;H.Shimizu
