Hidekazu Sato,Akira Izumi and Hideki Matsumura: "Ultra-thin high quality silicon nitride gate dielectrics prepared by catalytic chemical vapor deposition at low temperature"Materials Research Society Symposium Proceedings. 567. 155-160 (1999)
Hidekazu Sato,Akira Izumi and Hideki Matsumura: "Ultra-thin high quality silicon nitride gate dielectrics prepared by catalytic chemical vapor deposition at low temperature"Materials Research Society Symposium Proceedings. 567. 155-160 (1999)
复制标题
Hidekazu Sato、Akira Izumi 和 Hideki Matsumura：“低温催化化学气相沉积制备超薄高质量氮化硅栅极电介质”材料研究会研讨会论文集。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
