Fast Diffusion in Germanium and Silicon Investigated by Lamp-Based Rapid Thermal Annealing
Fast Diffusion in Germanium and Silicon Investigated by Lamp-Based Rapid Thermal Annealing
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通过基于灯的快速热退火研究锗和硅中的快速扩散
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.573-574.35
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Lerch
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Stolwijk;L. Lerner;A. Giese;W. Lerch
研究材料中的快速扩散过程需要短时间的等温退火热处理和精确的温度测量。本文讨论了扩散研究中对快速热退火(RTA)器件的特殊要求以及如何在实践中满足这些要求。通过几个处理Ge和Si中快杂质的例子，展示了RTA对半导体扩散研究的科学影响。
The study of fast diffusion processes in materials requires short isothermal annealing treatments combined with an accurate temperature measurement. The paper discusses the special demands on rapid thermal annealing (RTA) devices in diffusion research and how these can be met in practice. The scientific impact of RTA for diffusion research in semiconductors is demonstrated by several examples dealing with fast impurities in Ge and Si.