Scaling Effects in Highly Scaled Commercial Nonvolatile Flash Memories
Scaling Effects in Highly Scaled Commercial Nonvolatile Flash Memories
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大规模商用非易失性闪存中的缩放效应
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Zajac
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Irom;D. Nguyen;G. Allen;S. Zajac
报道了25 nm微米工艺NAND闪存的单粒子效应测量和TID响应。将MLC 64 Gb器件的辐照结果与SLC 32 Gb器件的辐照结果进行了比较。此外，标度效应的SEE和TID进行了讨论。
SEE measurements and TID response for 25 nm Micron Technology NAND flash memories are reported. Radiation results of MLC 64 Gb parts are compared with results from SLC 32 Gb parts. Also, scaling effects on SEE and TID are discussed.