Electrical levels in nickel doped silicon
Electrical levels in nickel doped silicon
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镍掺杂硅中的电能级
DOI：
10.1063/1.4901003
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发表时间：
2014
影响因子：
3.2
通讯作者：
J. Weber
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
L. Scheffler;V. Kolkovsky;J. Weber
深能级瞬态光谱 (DLTS) 揭示了硅中替代镍的三个电能级，分别为 EC – 0.07 eV、EC – 0.45 eV 和 EV + 0.16 eV。样品氢化后观察到许多额外的 DLTS 峰。我们识别出不同的 NiHx 配合物，其中 x = 1、2 和 3。NiH 在大约 EC – 0.17 eV 和 EV + 0.49 eV 处将单个受体和单个施主态引入硅的带隙中。 NiH2 和 NiH3 分别在 EV + 0.58 eV 和 EV + 0.46 eV 处具有单受体态。除了电活性 NiHx 络合物之外，还观察到镍的电活性被氢完全钝化。
Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) reveals three electrical levels of substitutional nickel in silicon at EC – 0.07 eV, EC – 0.45 eV, and EV + 0.16 eV. A number of additional DLTS peaks are observed after hydrogenation of the samples. We identify different NiHx -complexes with x = 1, 2, and 3. NiH introduces a single acceptor and a single donor state at about EC – 0.17 eV and EV + 0.49 eV into the band gap of silicon. NiH2 and NiH3 are shown to have a single acceptor state at EV + 0.58 eV and EV + 0.46 eV, respectively. In addition to the electrically active NiHx-complexes, a total passivation of the electrical activity of nickel by hydrogen is observed.