Influence of three-dimensional p-buried layer pattern on the performance of 4H-SiC floating junction Schottky barrier diode
Influence of three-dimensional p-buried layer pattern on the performance of 4H-SiC floating junction Schottky barrier diode
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三维p埋层图案对4H-SiC浮结肖特基势垒二极管性能的影响
DOI：
10.7567/jjap.54.100302
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发表时间：
2015
影响因子：
1.5
通讯作者：
Yuan Hao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yang Shuai;Zhang Yuming;Song Qingwen;Tang Xiaoyan;Zhang Yimen;Huo Tianjia;Liu Sicheng;Yuan Hao
