250V-Class Lateral SOI Devices for Driving HDTV PDPs

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DOI：
10.1109/ispsd.2007.4294974
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发表时间：
2007-05
期刊：
Proceedings of the 19th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
通讯作者：
H. Sumida;K. Maiguma;N. Shimizu;H. Kobayashi
H. Sumida;K. Maiguma;N. Shimizu;H. Kobayashi
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
H. Sumida;K. Maiguma;N. Shimizu;H. Kobayashi

文献摘要

被引文献

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本文介绍了我们最新研制的用于HDTV PDP扫描驱动芯片的250 V级SOI横向功率器件，这是我们的第六代SOI器件。横向IGBT、nch-MOSFET、具有厚栅氧化层的pch-MOSFET和二极管都包含在我们的第6代SOI器件菜单中。他们的特点显示出来。
This paper introduces our newest 250V-class SOI lateral power devices for HDTV PDP scan driver ICs, which are the 6th-generation SOI devices for us. The lateral IGBT, nch-MOSFET, pch-MOSFET with thick-gate oxide, and diode are included in our 6th-generation SOI device menu. Their characteristics are shown.