オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価
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m面GaN衬底上斜角GaN-MOS电容器的界面态评估
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
出来真斗，安藤悠人，渡邉浩崇，田中敦之，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Manato Deki、Kazushi Sone、Kenta Watanabe;Fumiya Watanabe;Kentaro Nagamatsu;Atsushi Tanaka;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano;出来真斗，安藤悠人，渡邉浩崇，田中敦之，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩
