M.Hashimoto: "Implanted Antimony Precipitation in Silicon Studied by Medium-Energy Ion Scattering" Japanese Journal of Applied Physics. 33. L1799-L1802 (1994)
M.Hashimoto: "Implanted Antimony Precipitation in Silicon Studied by Medium-Energy Ion Scattering" Japanese Journal of Applied Physics. 33. L1799-L1802 (1994)
复制标题
M.Hashimoto：“通过中能离子散射研究硅中的注入锑沉淀”日本应用物理学杂志。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
