Investigation on deep energy level formed by Se implantation in Si
Investigation on deep energy level formed by Se implantation in Si
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Si中Se注入形成的深能级研究
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
3.5
通讯作者：
Mi Yanhong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gao Lipeng;Han Peide;Mao Xue;Fan Yujie;Hu Shaoxu;Zhao Chunhua;Mi Yanhong
