A.Wakahara, H.Ohishi, H.Okada, A.Yoshida, Y.Koji, M.Ishida: "Organometallic Vapor Phase Epitaxy of GaN on Si(111)with a γ-Al2O3 Epitaxial Intermediate layer"J.Crystal Growth. (in press). (2002)
A.Wakahara, H.Ohishi, H.Okada, A.Yoshida, Y.Koji, M.Ishida: "Organometallic Vapor Phase Epitaxy of GaN on Si(111)with a γ-Al2O3 Epitaxial Intermediate layer"J.Crystal Growth. (in press). (2002)
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A.Wakahara、H.Ohishi、H.Okada、A.Yoshida、Y.Koji、M.Ishida：“具有 γ-Al2O3 外延中间层的 Si(111) 上 GaN 的有机金属气相外延”J.Crystal Growth。 （出版中）。
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