Control of phase formation of (AlxGa1-x)2O3 thin films on c-plane Al2O3
Control of phase formation of (AlxGa1-x)2O3 thin films on c-plane Al2O3
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DOI：
10.1088/1361-6463/abaf7d
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发表时间：
2020-11-25
影响因子：
3.4
通讯作者：
Grundmann, Marius
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hassa, Anna;Wouters, Charlotte;Grundmann, Marius
本文研究了锡辅助脉冲激光沉积法在（0.0.1）Al2O3上生长正交和单斜（AlxGa1-x）(2)O-3薄膜的过程，研究了氧压p（O-2）和衬底温度T-g对正交和单斜（AlxGa1-x） O-3薄膜的影响。对于特定的生长条件，定义为T-g >= 580℃，p（O-2）
In this paper, the growth of orthorhombic and monoclinic (AlxGa1-x)(2)O-3 thin films on (00.1) Al2O3 by tin-assisted pulsed laser deposition is investigated as a function of oxygen pressure p(O-2) and substrate temperature T-g. For certain growth conditions, defined by T-g >= 580 degrees C and p(O-2)