"Effect of H2 carrier gas on the growth of thick GaN layers by Oxide Vapor Phase Epitaxy,"
"Effect of H2 carrier gas on the growth of thick GaN layers by Oxide Vapor Phase Epitaxy,"
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“H2 载气对氧化物气相外延生长厚 GaN 层的影响”
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yusuke Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hirokazu Gunji;Yohei Yamaguchi;Keiju Ishibashi;Shintaro Tsuno;Akira Kitamoto;Masayuki Imanishi;Mamoru Imade;Masashi Yoshimura;Masashi Isemura;Yusuke Mori
