Si基板上のVO2マイクロチャネルにおける金属相の不均一分布が導く非線形THz電場増強
Si基板上のVO2マイクロチャネルにおける金属相の不均一分布が導く非線形THz電場増強
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Si衬底上VO2微通道中金属相不均匀分布引起的非线性太赫兹电场增强
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
服部梓
中科院分区：
文献类型：
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作者：
大坂藍，永井正也;玄地真悟;任慧;田中秀和;服部梓
