低充填率と高充填率InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける発光色変化メカニズムの比較検討
低充填率と高充填率InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける発光色変化メカニズムの比較検討
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低填充率与高填充率InGaN/GaN有序阵列纳米柱发光颜色变化机制对比研究
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岸野克巳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
吉村賢哉;滝本啓司;成田一貴;富樫理恵;野村一郎;岸野克巳
