H. Matsunami: "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic SiC on Si using hydrocarbon radicals by gas source molecular beam epitaxy" Journal of Crystal Growth. 150. 934-938 (1995)
H. Matsunami: "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic SiC on Si using hydrocarbon radicals by gas source molecular beam epitaxy" Journal of Crystal Growth. 150. 934-938 (1995)
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H. Matsunami：“通过气源分子束外延使用烃基在 Si 上低温异质外延生长立方 SiC”《晶体生长杂志》。
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