Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method
Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method
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LPE法生长的4H-SiC pn二极管的电学特性
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.1313
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E. Kalinina
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Kuznetsov;D. Bauman;A. Gavrilin;E. Kalinina
