Ultrasensitive Anomalous Hall Effect in Ta/CoFe/Oxide/Ta Multilayers
Ultrasensitive Anomalous Hall Effect in Ta/CoFe/Oxide/Ta Multilayers
复制标题
Ta/CoFe/氧化物/Ta 多层中的超灵敏反常霍尔效应
DOI：
10.1155/2016/9734610
复制
发表时间：
2016-12
影响因子：
1.5
通讯作者：
Yu Guanghua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Guang;Li Yongye;Chen Xi;Zhang Jingyan;Yu Guanghua
在Ta/CoFe/Oxide/Ta多层膜中表现出超高的反常霍尔灵敏度。通过改变氧化物(MgO和HfO2)和热处理温度，发现了不同的退火温度对MgO-样品和HfO2-样品灵敏度的影响。对于氧化镁样品，其反常霍尔灵敏度在沉积态时达到18792 Ω/T，并随退火温度升高而显著降低。反之，沉积的HfO2-样品的灵敏度只有765 Ω/T，而随着温度的升高，灵敏度显著增加，在240℃时达到14741 Ω/T。两种样品的反常灵敏度的反常变化是由于在退火过程中磁各向异性和反常霍尔电阻的变化不同所致。我们的研究提供了一个新的视角，即氧化物材料的选择和退火处理的优化对反常霍尔灵敏度都是重要的。
Ultrahigh anomalous Hall sensitivity has been demonstrated in Ta/CoFe/Oxide/Ta multilayers. By changing oxides (MgO and HfO2) and annealing temperature, different annealing dependence of sensitivity was found in MgO-sample and HfO2-sample. For the MgO-sample, the anomalous Hall sensitivity reaches 18792 Ω/T in the as-deposited state and significantly reduces as annealing temperature increases. On the contrary, the sensitivity of the as-deposited HfO2-sample is only 765 Ω/T, while it remarkably increases with annealing temperature increasing, finally reaching 14741 Ω/T at 240°C. The opposite variation of anomalous sensitivity in two samples originates from the different change of magnetic anisotropy and anomalous Hall resistance during the annealing process. Our study provides a new perspective that both the choice of oxide material and the optimization of annealing treatment are important to the anomalous Hall sensitivity.
登录
查看更多内容
影响因子：
2.4
作者：
P. Ekins
通讯作者：
P. Ekins
影响因子：
1.9
作者：
F. Blattner
通讯作者：
F. Blattner
影响因子：
1.6
作者：
Vicki D Crinis
通讯作者：
Vicki D Crinis
影响因子：
0.2
作者：
R. Eglash
通讯作者：
R. Eglash
DOI：
10.1080/13573320701467344
发表时间：
2004-01
期刊：
Wiley-Blackwell: Development Policy Review
影响因子：
--
作者：
J. Roberts;D. Shaw;P. Sahoo;N. Harris;B. Persaud;M. Thakur;I. Gillson;A. Suleiman
通讯作者：
J. Roberts;D. Shaw;P. Sahoo;N. Harris;B. Persaud;M. Thakur;I. Gillson;A. Suleiman