Structure and luminescence properties of Eu3+ and Dy3+ implanted GaN films
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DOI：
10.1016/j.spmi.2021.106974
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发表时间：
2021-08
影响因子：
3.1
通讯作者：
Hai Ma;Xiaodan Wang;Jiafan Chen;Xiaodong Gao;Shunan Zheng;Hongmin Mao;Dan Wang;Xionghui Zeng;Ke Xu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hai Ma;Xiaodan Wang;Jiafan Chen;Xiaodong Gao;Shunan Zheng;Hongmin Mao;Dan Wang;Xionghui Zeng;Ke Xu
