Planar mid-infrared InAsSb photodetector grown on GaAs substrates by MOCVD
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DOI：
10.7567/1882-0786/ab507c
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发表时间：
2019
影响因子：
2.3
通讯作者：
Bohua Dong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tingting Wang;Min Xiong;YingChun Zhao;Xu Dong;Yu Zhao;Jingjun Miao;Yong Huang;Baoshun Zhang;Lixing Cao;Bohua Dong
