4H–SiC BJTs with current gain of 110
4H–SiC BJTs with current gain of 110
复制标题
DOI：
10.1016/j.sse.2008.03.004
复制
发表时间：
2008-07
影响因子：
1.7
通讯作者：
Qingchun Zhang;A. Agarwal;A. Burk;B. Geil;C. Scozzie
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qingchun Zhang;A. Agarwal;A. Burk;B. Geil;C. Scozzie
