Effective hole mobilities in the buried channel of multiple SiGe quantum wells grown by ultra-clean low-pressure CVD
Effective hole mobilities in the buried channel of multiple SiGe quantum wells grown by ultra-clean low-pressure CVD
复制标题
超净低压CVD生长的多个SiGe量子阱埋入沟道中的有效空穴迁移率
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Fujinaga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Tanaka;M.Akazawa;E.Sano;K.Fujinaga
