Effects of the n+ -Epilayer Thickness on the Electric Characteristics of 6H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch with a Vertical Structure
Effects of the n+ -Epilayer Thickness on the Electric Characteristics of 6H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch with a Vertical Structure
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n外延层厚度对垂直结构6H-SiC光电导半导体开关电特性的影响
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jiang Haonan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhou Yuming;Jiang Haonan
