Fabrication of Zn3N2 electric double layer transistor by ionic liquid gating
Fabrication of Zn3N2 electric double layer transistor by ionic liquid gating
复制标题
离子液体门控制备Zn3N2双电层晶体管
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshio Kamiya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kaiwen Li;Kota Hanzawa;Keisuke Ide;Kosuke Matsuzaki;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;Qun Zhang;Toshio Kamiya
