4H-SiC中基面位错发光特性研究
4H-SiC中基面位错发光特性研究
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
张玉明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
汤晓燕;张义门;苗瑞霞;张玉明
