Threshold voltage of narrow channel field effect transistors
Threshold voltage of narrow channel field effect transistors
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窄沟道场效应晶体管的阈值电压
DOI：
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发表时间：
1976
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Ackermann
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kroell;G. Ackermann
