Effect of V/III ratio on luminescence and structural properties in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy
Effect of V/III ratio on luminescence and structural properties in Eu-doped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy
复制标题
V/III比对有机金属气相外延生长的Eu掺杂GaN发光和结构性能的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A.Nishikawa;H.Ofuchi;N.Furukawa;D.Lee;K.Kawabata;T.Matsuno;Y.Terai;T.Honma;Y.Fujiwara
