Maintaining atomically smooth GaAs surfaces after high-temperature processing for precise interdiffusion analysis and materials engineering
Maintaining atomically smooth GaAs surfaces after high-temperature processing for precise interdiffusion analysis and materials engineering
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在高温处理后保持原子级光滑的 GaAs 表面，以进行精确的相互扩散分析和材料工程
DOI：
10.1116/6.0001399
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发表时间：
2021
影响因子：
1.4
通讯作者：
Han, Sang M.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Miroshnik, Leonid;Rummel, Brian D.;Li, Andrew B.;Balakrishnan, Ganesh;Sinno, Talid;Han, Sang M.
