Boron-doped a-Si:H/c-Si interface passivation:: Degradation mechanism
Boron-doped a-Si:H/c-Si interface passivation:: Degradation mechanism
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DOI：
10.1063/1.2783972
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发表时间：
2007-09-10
影响因子：
4
通讯作者：
Kondo, Michio
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
De Wolf, Stefaan;Kondo, Michio
作者报告说，对于 a-Si:H/c-Si 异质结构太阳能电池制造来说，掺硼 a-Si:H(p(+)) 覆盖层的存在可能会导致 H-2 在中等温度下从底层（几纳米）薄的本征 a-Si:H(i) 薄膜中逸出。这种现象与 c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(p(+)) 结构在低温期间发生的电子钝化质量损失一致。
The authors report that for a-Si:H/c-Si heterostructure solar cell fabrication the presence of a boron-doped a-Si:H(p(+)) overlayer may cause H-2 effusion from a (few nanometers) thin underlying intrinsic a-Si:H(i) film at moderate temperatures. This phenomenon is in agreement with losses in the electronic passivation quality of c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(p(+)) structures occurring during low temperature (