破断接合法トンネル分光で観測した近藤半導体CeOs2Al10の5d電子・正孔ドープによるギャップ構造の抑制
破断接合法トンネル分光で観測した近藤半導体CeOs2Al10の5d電子・正孔ドープによるギャップ構造の抑制
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断裂结隧道光谱观察近藤半导体 CeOs2Al10 中 5d 电子/空穴掺杂对能隙结构的抑制
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
室裕司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川端丈;山田義大;高畠敏郎;坂井優太;杉本暁;浴野稔一;室裕司
