Electronic properties of highly P and B doped thin Si layers grown by ECR–CVD
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DOI：
10.1016/s0921-5107(99)00301-3
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发表时间：
2000-01
影响因子：
3.6
通讯作者：
S. Brehme;P. Kanschat;K. Lips;I. Sieber;W. Fuhs
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Brehme;P. Kanschat;K. Lips;I. Sieber;W. Fuhs
