M. Yoshimoto: "Interface electronic properties between silicon and silicon nitirde deposited by direct-photochemical vapor deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 35(印刷中). (1996)
M. Yoshimoto: "Interface electronic properties between silicon and silicon nitirde deposited by direct-photochemical vapor deposition" Japanese Journal of Applied Physics. 35(印刷中). (1996)
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M. Yoshimoto：“通过直接光化学气相沉积沉积的硅和氮化硅之间的界面电子特性”，《日本应用物理学杂志》35（出版中）。
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