T.Hanajiri, K.Aoto, T.Hoshino, M.Niizato, Y.Nakajima, T.Toyabe, et al.: "approach for quantum mechanical modeling for MOS devices, covering the whole operation region"2^<nd> International Conference on Materials for A new Advanced Technologies & IUMRS-Int
T.Hanajiri, K.Aoto, T.Hoshino, M.Niizato, Y.Nakajima, T.Toyabe, et al.: "approach for quantum mechanical modeling for MOS devices, covering the whole operation region"2^<nd> International Conference on Materials for A new Advanced Technologies & IUMRS-Int
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T.Hanajiri、K.Aoto、T.Hoshino、M.Niizato、Y.Nakajima、T.Toyabe 等人：“MOS 器件量子力学建模方法，覆盖整个操作区域”2^<nd> 国际
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